TWIN — Système plasma - Dosage ion-implant

Le processus d’implant est une étape très critique sur les lignes de production de circuits intégrés. Il définit les caractéristiques et les propriétés du composant à produire en dopant certaines couches du substrat. Il est très difficile voire impossible de rependre ce processus. Par conséquent, la surveillance constante de la qualité du processus d’implant est inévitable afin de maintenir le rendement acceptable. Le système TWIN permet de surveiller et mesurer ce processus de dosage « ion-implant » par couverture des gammes de mesure allant de 10E10 à 5E16 du niveau de dosage et de 1keV à 100MeV de l’énergie d’implant.