SIRD — Système plasma - analyse de défauts - stress mécanique

SIRD : Scanning IR Depolarization System for Inline Stress Defect Analysis

L’introduction des wafers de 300 mm a apporté son lot de nouvelles normes avec comme une des conséquences une augmentation importante de la superficie et du poids pour une épaisseur qui, elle n’a presque pas variée accroissant ainsi sensiblement le risque de rupture. Par exemple, dès qu’un wafer de 300 mm possède des secteurs de tension mécanique interne élevée (contrainte), on assiste à une augmentation significative de la probabilité de rupture pendant le processus de fabrication du composant avec toutes les conséquences coûteuses induites. Par conséquent, le dépistage précoce de ces contraintes et la prévention d’une rupture attire de plus en plus l’attention. De plus, les contraintes sur les wafers ont également une influence négative sur des caractéristiques moléculaire du silicium et par conséquent sur les fonctionnalités des puces extraites de ces wafers.