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T-6000-L/G — Die bonder

Le die bonder T-6000-L/G correspond à une version avancée de la série T-6000-L. Les améliorations comprennent un portique en granit offrant une haute stabilité, ainsi qu’un système de contrôle axes X, Y, Z de haute précision afin de garantir une excellente précision de positionnement. En option, le T-6000-L/G peut fonctionner avec un module de…

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Die bonder - T-6000-L/G | TRESKY

Le die bonder T-6000-L/G correspond à une version avancée de la série T-6000-L.

Les améliorations comprennent un portique en granit offrant une haute stabilité, ainsi qu’un système de contrôle axes X, Y, Z de haute précision afin de garantir une excellente précision de positionnement.

En option, le T-6000-L/G peut fonctionner avec un module de chargement et de déchargement afin d’optimiser davantage les temps de cycle et réduire les temps d’arrêt.

Le système est évolutif, et peut être étendu à tout moment avec des options supplémentaires dans le but de s’adapter aux besoins de nos clients. De plus, le logiciel intuitif permet une utilisation simple et facile du système.

CARACTÉRISTIQUES :

  • Zone de travail avec wafer : 410 mm x 420 mm.
  • Taille de wafer : 2” à 8” (Ring & Frame).
  • Zone de travail sans wafer : 550 mm x 420 mm.
  • Débattement max en Z : 100 mm.
  • Rotation maximum des puces : jusqu’à 360°.
  • Gamme de force : 10 g à 10000 g. - Vitesse de déplacement : jusqu’à 1.8 m/sec.
  • Précision de positionnement : 2.5 µm @ 3 sigma.
  • Résolution de déplacement des axes : XYZ : 0.01 µm, Theta : 0.01°.
  • Taille min. et max. des composants : 80 µm - 100 mm.

AUTRES MODÈLES :

  • T-6000-L : Die bonder - Taille de wafer : 2’’ à 8’’ - Gamme de force : de 10 g à 5000 g - Précision de positionnement : 8 µm.
  • T-7000 : Die bonder - Taille de wafer : de 2” à 8” - Gamme de force : de 0.01N à 500N - Précision de positionnement : <1.0 µm.
  • T-8000-G : Die bonder - Taille de wafer : 2” à 12” - Gamme de force : 10 g à 10000 g - Précision de positionnement : 2.5 µm.

En vidéo

T-6000-L/G

Fiche technique

Précision de positionnement
2.5 µm
Gamme de force
de 10 g à 10000 g
Taille de wafer
2'' à 8''

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